Тонкопленочная технология

Тонкопленочная технология основана на напылении резистивных и проводниковых материалов в вакууме методом термического испарения и магнетронного распыления с последующим нанесением защитных покрытий гальваническим осаждением. В качестве носителя используются такие материалы как поликор, ситалл, полиимид и др.

  • Вакуумное напыление:
    • резистивных пленок на основе сплавов РС-5402, РС-5406, РС-3710, кермета К-50С с удельным поверхностным сопротивлением от 10 Ом/кв до 10 кОм/кв;
    • проводящих пленок со структурой Cr–Cu–Ni, Cr–Au, Cr-Cu (толщиной до 17 мкм),
    • возможно напыление проводящих пленок на лицевую и экранную поверхности подложки в одном вакуумном цикле.
  • Фотолитография на основе позитивных и негативных фоторезистов:
    • минимальная ширина проводников и зазоров (20 ± 5)мкм;
    • точность исполнения резисторов ±0,5%.
  • Гальваническое наращивание:
    • медных проводников до 10 мкм;
    • покрытий Ni (0,5-0,8) мкм + Au (до 4 мкм);
    • золотых покрытий до 4 мкм;
    • покрытий олово-висмутом до 9 мкм.
  • Изготовление плат и микросборок на полиамиде:
    • двусторонние платы с металлизированными отверстиями:
    • минимальная ширина проводников/зазоров 0,1мм;
    • переходные отверстия от 0,06 мм;
    • гальваническое наращивание меди до 20 мкм, олово-висмут до 9 мкм.
  • Размерная обработка керамических подложек:
    • получение отверстий диаметром от 0,1 мм;
    • вырезка контуров сложной конфигурации лазерным методом.